Micro LED技術被炒得震天價響，儼然是次世代的顯示技術霸主，更是2018年的顯示明星。然而，目前Micro LED依然存在許多的難題，不管是制程技術、檢驗標準，或者是生產(chǎn)成本，都與大量商業(yè)應用有著很大的距離，而其中一個最主要的挑戰(zhàn)，就是如何導入大量生產(chǎn)，以降低其制造成本，而此一環(huán)節(jié)被稱為「巨量轉移」。   要理解巨量轉移，當然要先知道什么是Micro LED，以及它跟傳統(tǒng)的LED有何不同之處。Micro LED的英文全名是「Micro Light Emitting Diode」，中文也就稱作是微發(fā)光二極體，也可以寫作「μLED」。   與一般LED最大的不同之處，當然是尺寸。但是多少的尺寸才能稱作Micro LED，目前仍未有統(tǒng)一的標準，因此都是制造商各自表述的情況。以臺灣晶電的定義為例，一般的LED晶粒是介于200～300微米（micrometer, μm），Mini LED（被稱為Micro LED前身）約50～60微米，而Micro LED則是在15微米。   μLED完勝所有顯示技術成本與量產(chǎn)是唯一挑戰(zhàn) 由于晶粒尺寸的差異，其各自的應用也就有所不同。一般的LED芯片以照明與顯示器背光模組為主；至于Mini LED則也將會運用在背光應用上，但會是在高階的消費產(chǎn)品，或者是車用市場，如群創(chuàng)光電的AM miniLED就是運用在車用顯示上；至于Micro LED，其應用概念跟前兩者則完全不同，將會是一種全新的顯示技術，而它的競爭對象則會是OLED。   從技術規(guī)格與應用概念來看，μLED在亮度、反應速度、電耗與耐用度上皆完勝目前市面上的顯示技術，幾乎可以說是具備完全取代LCD和OLED顯示的潛力，但唯一的問題就是其生產(chǎn)成本與量產(chǎn)的能力。

 圖一   目前μLED最大的生產(chǎn)挑戰(zhàn)就在于如何把巨量的微米等級的LED晶粒，透過高準度的設備，將之布置在目標基板或者電路上，而此一程序被稱為巨量轉移（Mass Transfer ）。   

 事實上，巨量轉移是一個學術名詞，經(jīng)常用于物質處理流程的工程設計上，它涉及物理系統(tǒng)內(nèi)的物質或粒子的擴散和對流。   更具體的說，巨量轉移是在描述一個化學或物理的機制，它是一種運輸?shù)默F(xiàn)象，它意指大數(shù)量的點（分子或粒子）從某一端移動到另一端。它可以是單一階段，或者多重階段，且涉及一個液體或者氣體的階段，有時候也可能在固體物質中發(fā)生。   一個經(jīng)典的巨量轉移范例，就是水的「蒸發(fā)」，透過蒸發(fā)現(xiàn)象，能讓大量的水分粒子移動到另一個物質上，同理，擴散也是如此。  

  如何搬運數(shù)千萬顆微米級LED晶粒的挑戰(zhàn) 而用在μLED的生產(chǎn)上，就是要把數(shù)百萬甚至數(shù)千萬顆微米級的LED晶粒正確且有效率的移動到電路基板上。以一個4K電視為例，需要轉移的晶粒就高達2400萬顆（以4000 x 2000 x RGB三色計算），即使一次轉移1萬顆，也需要重復2400次。   臺灣的工研院目前也正在著手研發(fā)巨量轉移的相關技術，而主要負責的單位則是電子與光電系統(tǒng)研究所。電光所所長吳志毅博士就表示：「目前LED與顯示面板的制程已相對成熟，最大的困難就在于如何將如此大量的μLED晶粒進行轉移?！?  吳志毅博士指出，雖然生產(chǎn)微米級μLED晶粒不易，但仍是有設備可以做到，只是良率與產(chǎn)量的問題，例如紅光LED微縮至微米級會有矽材質易碎的問題，但還是有法可行，唯有巨量轉移目前仍沒有一個好的解決方案。   就因為巨量轉移的良率與效率具備很高的技術難度，因此目前包含蘋果、三星和索尼都正積極研究突破之道。   吳志毅博士表示，要達成巨量轉移的原理其實很簡單，就是產(chǎn)生一個作用力將μLED晶粒精準的吸附起來，然后將之轉移到目標背板上，再精準的釋放。而可以使用的原理有：真空、靜電、沾黏、UV和電子作用等。   關鍵的問題就在于良率可以達到多少，以及產(chǎn)能是否合乎成本。                                            

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